File:Gems "Самоцвіти".png
Original file (2,560 × 1,920 pixels, file size: 10.14 MB, MIME type: image/png)
Captions
Summary
[edit]DescriptionGems "Самоцвіти".png |
Українська: Зображення поверхні поруватого фосфіду індію, синтезованого на поверхні монокристалу з орієнтацією поверхні (111) методом електрохімічного травлення у розчині плавикової кислоти.
Зображення було отримано на мікроскопі JSM-6490 дослідниками Бердянського державного педагогічного університету. Кольорова обробка виконана за допомогою графічного редактора Adobe Photoshop. Мікрофотографія має значну наукову цінність. Квіткоподібні структури, що мають вигляд самоцвітів, – це оксиди індію, що сформувалися на поверхні наноструктури під час електрохімічної обробки та після її завершення. Утворення оксидних кристалітів свідчить про наявність активних поверхневих станів. Можемо спостерігати смугастий розподіл пор. Пори ростуть не по всій поверхні кристалу, а смугами. Таке цікаве явище обумовлено нерівномірністю розподілу домішки і має назву сегрегації. Поява смуг сегрегації пов’язана з технологією вирощування кристалів за методом Чохральського та є доволі поширеним явищем. Ми спостерігаємо смуги у поздовжній площині, однак відповідні неоднорідності розподілу домішки існують в обох вимірах і залежать від режимів вирощування кристала. Фізично смугастість можна пояснити наявністю далекодіючих напружень, що виникають на межі розплаву і твердої сформованої фази напівпровідника. Композиційна неоднорідність по суті може розглядатися як нерівномірність розподілу домішки, вона є причиною виникнення дислокацій кристалічної гратки. Слід зауважити, що дослідження смуг сегрегації є важливою технологічною задачею. Та не завжди такі смуги легко виявити. Електрохімічне травлення напівпровідника у селективному розчиннику є багатообіцяючим та надійним методом спостереження композиційної досконалості кристалів. Автори роботи Яна Сичікова (синтез наноструктур) та Сергій Ковачов (кольоровий дизайн).English: Surface image of porous indium phosphide synthesised on the surface of a single crystal with surface orientation (111) by electrochemical etching in a hydrofluoric acid solution.
The image was obtained on a JSM-6490 microscope by researchers of Berdyansk State Pedagogical University. Colour processing was performed with the help of Adobe Photoshop. This micrography presents significant scientific value. The flower-like structures that look like gems are indium oxides formed on the surface of the nanostructure during electrochemical treatment and after its completion. The formation of oxide crystallites indicates the presence of active surface states. We can observe a striped pore distribution. The pores grow in streaks instead of covering the entire surface of the crystal. This outstanding phenomenon called segregation appears due to the uneven distribution of impurities. The appearance of segregation streaks is associated with the quite popular technology of growing crystals using the Chokhralsky method. We can see streaks in the longitudinal plane, but there are corresponding inhomogeneities of the impurity distribution in both dimensions, they hinge on the crystal growth modes. Physically, the streaks can be explained by the presence of long-range stresses that occur at the interface between the melt and the solid-formed semiconductor's phase. Compositional heterogeneity can be considered as an uneven distribution of impurities resulting in dislocations of the crystal lattice. It should be noted that the study of segregation streaks is a priority technological task. But such streaks are not always easy to detect. Electrochemical etching of a semiconductor in a selective solvent is a promising and reliable method for observing the compositional perfection of crystals. Its authors are Yana Sychikova (synthesis of nanostructures) and Serhii Kovachov (colour design).English: Gems NanoArt.Surface image of porous indium phosphide synthesised on the surface of a single crystal with surface orientation (111) by electrochemical etching in a hydrofluoric acid solution. |
Date | |
Source | Own work |
Author | Яна Сычикова |
Licensing
[edit]- You are free:
- to share – to copy, distribute and transmit the work
- to remix – to adapt the work
- Under the following conditions:
- attribution – You must give appropriate credit, provide a link to the license, and indicate if changes were made. You may do so in any reasonable manner, but not in any way that suggests the licensor endorses you or your use.
This image was uploaded as part of Science Photo Competition 2020 in Ukraine. |
File history
Click on a date/time to view the file as it appeared at that time.
Date/Time | Thumbnail | Dimensions | User | Comment | |
---|---|---|---|---|---|
current | 20:51, 23 November 2020 | 2,560 × 1,920 (10.14 MB) | Yana Sychikova (talk | contribs) | Uploaded own work with UploadWizard |
You cannot overwrite this file.
File usage on Commons
There are no pages that use this file.
Metadata
This file contains additional information such as Exif metadata which may have been added by the digital camera, scanner, or software program used to create or digitize it. If the file has been modified from its original state, some details such as the timestamp may not fully reflect those of the original file. The timestamp is only as accurate as the clock in the camera, and it may be completely wrong.
Width | 10,240 px |
---|---|
Height | 7,680 px |
Pixel composition | RGB |
Number of components | 3 |
Horizontal resolution | 72 dpi |
Vertical resolution | 72 dpi |
Exif version | 2.31 |
Color space | sRGB |
Image width | 5,000 px |
Image height | 3,750 px |
Bits per component |
|
Software used | Adobe Photoshop 21.1 (Windows) |
File change date and time | 19:50, 23 November 2020 |
Date and time of digitizing | 18:46, 3 November 2020 |
Date metadata was last modified | 19:50, 23 November 2020 |
Unique ID of original document | B4F921EAC71F550850DD9854876AA39C |